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通過(guò)低頻電容和電荷提取技術(shù)測(cè)定鹵化物鈣鈦礦中的移動(dòng)離子密度

 更新時(shí)間:2023-07-20 點(diǎn)擊量:1225

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主要內(nèi)容

鈣鈦礦光伏器件中的移動(dòng)離子會(huì)阻礙電荷提取和屏蔽內(nèi)部電場(chǎng),從而影響器件的性能導(dǎo)致性能下降。準(zhǔn)確量化移動(dòng)離子密度仍然是一個(gè)挑戰(zhàn),也是一個(gè)備受爭(zhēng)議的話題。

這篇文章中的研究團(tuán)隊(duì)評(píng)估了幾種實(shí)驗(yàn)方法的適用性,通過(guò)使用漂移擴(kuò)散模擬來(lái)確定移動(dòng)離子密度。其中發(fā)現(xiàn),通過(guò)線性增加電壓(CELIV)提取電荷低估了離子密度,而偏置輔助電荷提取(BACE)可以準(zhǔn)確地再現(xiàn)低于電極電荷的離子。改良的低頻Mott–Schottky(MS)分析可以提供鈣鈦礦典型的高過(guò)量離子密度的離子密度值。對(duì)電容的貢獻(xiàn)來(lái)自離子耗盡層而不是積聚層。使用低頻MS分析,團(tuán)隊(duì)還演示了光誘導(dǎo)產(chǎn)生的移動(dòng)離子。這些方法能夠準(zhǔn)確跟蹤器件老化過(guò)程中的離子密度,并更深入地了解離子損失。


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研究過(guò)程中使用了巨力光電代理的Setfos模擬仿真軟件來(lái)模擬移動(dòng)離子對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池性能的影響。與移動(dòng)離子相關(guān)的參數(shù)被應(yīng)用到漂移擴(kuò)散模塊中,這使得研究人員能夠在他們的模擬中加入移動(dòng)離子,并將廣泛的掃描速度范圍內(nèi)重現(xiàn)在電池中觀察到的JV滯后。模擬仿真還驗(yàn)證了JSC、VOC和FF性能特征損失可以重現(xiàn)。

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產(chǎn)品推薦-Setfos模擬仿真軟件

Setfos用于各種類(lèi)型太陽(yáng)能電池(包括鈣鈦礦、有機(jī)、疊層、硅基電池等)、鈣鈦礦LED、OLED器件及相關(guān)光電材料性能的仿真系統(tǒng),對(duì)器件設(shè)計(jì)、構(gòu)建、光學(xué)性能、電學(xué)性能以及光電材料的性能進(jìn)行模擬計(jì)算和優(yōu)化。(點(diǎn)擊訪問(wèn))


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