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IOP Science:分子束外延生長PbTe納米線

 更新時間:2023-05-23 點擊量:1048

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主要內(nèi)容

量子技術(shù)的進步來自于發(fā)現(xiàn)提高電子器件性能和功能的新材料系統(tǒng)。碲化鉛(PbTe)是IV–VI材料家族的一員,擁有可探索的未知潛力。由于其高電子遷移率、強自旋軌道耦合和超高介電常數(shù),它可以容納少量電子量子點和彈道量子線,并有機會控制電子自旋和其他量子自由度。

在這篇文章中,研究團隊報道了如何通過分子束外延制備PbTe納米線。實現(xiàn)了適用于量子器件的無缺陷單晶PbTe,具有高達50的縱橫比。此外,通過制造單個納米線場效應(yīng)晶體管實現(xiàn)了雙極傳輸,提取帶隙并觀察電導(dǎo)的Fabry–P′erot振蕩及準(zhǔn)傳輸?shù)奶卣鳌?/span>


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其中由巨力光電代理的 kSA BandiT實時襯底溫度測試儀 在研究過程中提供測量實時溫度


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2. kSA ACE 原位MBE束流監(jiān)測系統(tǒng) 是一種高靈敏度的在線原位原子束流監(jiān)測設(shè)備,它利用原子吸收光譜的原理來測量對應(yīng)原子種類的通量率。該設(shè)備可實時原位檢測原子束流密度、生長速率,實現(xiàn)對薄膜成分精確控制。

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文獻信息

Growth of PbTe nanowires by molecular beam epitaxy

Sander G Schellingerhout, Eline J de Jong, Maksim Gomanko, Xin Guan, Yifan Jiang, Max S M Hoskam, Jason Jung, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir, Marcel A Verheijen, Sergey M Frolov and Erik P A M Bakkers


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