薄膜生長速率測試儀采用無損的激光技術(shù)實(shí)時原位檢測薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學(xué)常量（n&k），可廣泛的應(yīng)用于金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統(tǒng)Sputtering和蒸發(fā)系統(tǒng)等薄膜沉積過程的實(shí)時原位監(jiān)控。
薄膜生長速率測試儀的特點(diǎn)：
1、實(shí)時薄膜沉積速率、薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)（n&k）分析，同時標(biāo)準(zhǔn)偏差統(tǒng)計(jì)分析
2、自動程序化校準(zhǔn)
3、精密的實(shí)時反饋系統(tǒng)
4、程序控制，可實(shí)時多層薄膜沉積監(jiān)控和控制
5、多Wafer監(jiān)控功能
6、Wafer基底旋轉(zhuǎn)監(jiān)控和控制功能
7、所有參量原位實(shí)時檢測
8、操作裝配簡單便捷
